فناوری ساخت مدارهای مجتمع- قسمت اول
فناوری ساخت مدارهای مجتمع- قسمت اول
1- پردازش ویفر برای تولید یک زیربنا از نوع مناسب.
2- لیتوگرافی نوری برای تعریف دقیق هر ناحیه.
3- اکسیداسیون، لایهنشانی و کاشت یونی برای افزدون مواد لازم به ویفر.
4- زدایش جهت زدودن مواد زائد از ویفر.
مقدمه
در مقالههای 1 تا 6 نانوالکترونیک با مفاهیم اولیه و پایهی نانوالکترونیک آشنا شدیم. از فیزیک حالت جامد با تاکید بر نیمهرساناها گفتیم. همچنین، از ساختار ترانزیستور و چگونگی عملکرد آن مطالبی را بیان کردیم. در دو مقاله نیز همراه با بیان مثال، به اهمیت نقش ترانزیستور در مدارهای مجتمع پرداختیم. در مقالهی هفتم با بیان قانون مور گفتیم که از زمان ساخت اولین ترانزیستور، دانشمندان فیزیک ِ الکترونیک به دنبال کوچکتر کردن ابعاد ترانزیستور، یا به بیان دیگر، زیادترکردن تعداد ترانزیستور در فضای ثابت بودهاند. همانطور که در آن مقاله بیان شد، نتیجهی این امر افزایش سرعت پردازندهها و نیز افزایش حجم حافظهها است.
در پایان مقالهی هفتم این پرسش مطرح شد که با وجود چنین مزایایی که در کوچکتر کردن ابعاد ترانزیستور است، چرا از ابتدا ترانزیستورها در ابعاد بسیار کوچک تولید نشد؟ یعنی چرا به تدریج به سمت فناوریهای کوچکتر حرکت میکنیم؟ در پاسخ به این پرسش بیان کردیم که حرکت به سمت فناوریهای کوچکمقیاس نظیر فناوری نانو محدودیتهایی دارد. برای این که با محدودیتهای ساخت ترانزیستورها در مقیاس نانو بیشتر آشنا شویم، ابتدا باید با فناوری ساخت ترانزیستورها در مدارهای مجتمع آشنا شویم. در این مقاله و چند مقالهی بعد راجع به فناوری ساخت مدارهای مجتمع سخن خواهیم گفت.
![](http://www.chargereseller.com/img/banner/468-60/banner-12.gif)
ادامه مطلب